In der Chipherstellung haben sich heute eine Reihe spezieller Verfahren zur Weiterverarbeitung von Wafern etabliert, die zum Einstellen der gewünschten Materialeigenschaften oder zur Verbesserung der Qualität und Leistungsfähigkeit dienen. Dazu zählen Verfahren wie das Beschichten mittels Molekularstrahl- oder (metallorganischer) Gasphasen-Epitaxie, wo dünne, meist kristalline Schichten im Vakuum bei erhöhten Temperaturen epitaktisch (mit derselben Kristallstruktur wie das Substrat) aufwachsen. Bei der Ionen-Implantation wird das Silizium mit Phosphor-, Bor-, oder Arsen-Ionen dotiert, um nur die wichtigsten Elemente zu nennen. Dielektrische Schichten werden in Vertikalöfen oder Single-Wafer-CVD-Prozessen aufgebracht und isolieren die Waferoberfläche.

Für die Werkstoffe, die in diesen Prozessen z. B. zum Handling oder zur Aufnahme (Suszeptoren) der Wafer eingesetzt werden, gelten härteste Bedingungen: Temperaturen um 1000 °C, höchste Reinheitsanforderungen, Ionenbeschuss und Hochvakuum sorgen für extreme Belastungen. Hinzu kommen nach jeder Fahrt intensive Reinigungs- und Ätzprozesse zur Beseitigung nicht abgeschiedener Metallreste. Aus diesem Grund spielen hier vor allem keramische Werkstoffe oder mit Keramik beschichtete Materialien neben Quarzglas und Graphit die wichtigste Rolle.