SiC-Schichten dienen in erster Linie dem Schutz von Werkstoffen, die besonders aggressiven chemischen Einflüssen ausgesetzt sind. Die Siliziumcarbidschichten erhöhen neben der chemischen Beständigkeit auch die Schlagfestigkeit und dienen bei den Graphitwerkstoffen auch dem Oxidationsschutz. Mit Schichtdicken von 80 bis 120 µm lassen sich selbst kritische Graphitbauteile versiegeln. Typische Einsatzgebiete von SiC-Beschichtungen sind die Oberflächenversiegelung in der Halbleitertechnik und die Beschichtung von Satellitenspiegeln.

Die Beschichtung mit SiC kann über unterschiedliche Techniken erfolgen, deren Auswahl sich an den zu erreichenden Eigenschaften und der Schichtdicke orientiert. Die Beschichtung von Graphit-Bauteilen oder Komponenten aus CFC erfolgt meist mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD). Dabei lassen sich höchstreine Schichten mit hoher Kristallinität erzeugen. Auch hochorientierte Schichten sind so möglich .Eine (teilweise) Imprägnierung der porösen Graphitwerkstoffe oder der CFC-Komponenten ist so möglich. Als Precursor kommen dabei flüchtige Organo-Siliziumverbindungen zum Einsatz wie beispielsweise Methyl-Trichlorsilan. Je nach Ausgangsstoff und Verfahrensführung (Druck bzw. Partialdrücke, Temperatur etc.) lassen sich Schichtdicke und Schichteigenschaften optimal auf die jeweilige Anwendung zuschneiden.